Sistema láser semiconductor de alta potencia de 915 nm - 100 W

Características del producto: Potencia de salida 100W

Fibra de 200 μm/0,22 NA

Longitud de onda central: 915 ± 10 nm

Aplicaciones médicas

Procesamiento de materiales

Envíanos un correo electrónico Descargar como PDF

Detalles del producto

	Típico	Unidad
Parámetros ópticos
Potencia de salida	100	EN
Rango de potencia	0-100	EN
Corriente umbral	1.08	A
Corriente de funcionamiento	15.5	A
Tensión de funcionamiento	11.8	En
Ancho mínimo de pulso	50	microsegundos
Frecuencia máxima de repetición de entrada	10K	Hz
Hora de salida		microsegundos
Consumo máximo de energía		EN
Longitud de onda central	915±10	Nuevo Méjico
Luz de puntería	650	Nuevo Méjico
Potencia de salida	2	mw En
Inestabilidad de la potencia de salida
Voltaje de entrada de CA	200-240 (50 Hz)	En
Parámetros de la fibra
Diámetro del núcleo de la fibra	200	μm
Diámetro del tubo protector metálico	7	mm
Apertura numérica	0,22	-
Longitud de la fibra	1-5	metro
Conector	SMA905-SMA905
Modo de refrigeración	Refrigeración por aire
Función
RS232: Modo de ajuste del puerto serie	Mando a distancia
Control local	Funcionamiento mediante botones y pantalla táctil
Retroalimentación de bucle cerrado para la detección de PD	Si la corriente de PD supera el límite, el sistema deja de emitir láser.
Retroalimentación de bucle cerrado para detección de temperatura	Si se supera la temperatura, el sistema deja de emitir láser.
Modo de control AD	Modulación analógica de 0-10 V
Modo de trabajo	CW/Pluse

	Min	Máximo	Unidad
Temperatura de funcionamiento	-10	40	℃
Humedad relativa de funcionamiento	-	75	%
Temperatura de almacenamiento	-20	80	℃
Humedad relativa de almacenamiento	-	90	%