Sistema láser semiconductor de alta potencia de 915 nm
Parámetro (25 ℃)
| Típico | Unidad | |
| Parámetros ópticos | ||
| Potencia de salida | 100 | W |
| Rango de poder | 0-100 | W |
| Umbral de corriente | 1.08 | A |
| Corriente de funcionamiento | 15.5 | A |
| Tensión de funcionamiento | 11.8 | V |
| Ancho de pulso mínimo | 50 | ms |
| Tasa máxima de repetición de entrada | 10K | Hz |
| tiempo de subida | <15 | ms |
| Consumo máximo de energía | <300 | W |
| Longitud de onda central | 915±10 | nm |
| apuntando la luz | 650 | nm |
| Potencia de salida | 2 | mw w |
| Inestabilidad de la potencia de salida | ＜3%@24h | |
| Voltaje de CA de entrada | 200-240 (50 HZ) | V |
| Parámetros de fibra | ||
| Diámetro del núcleo de fibra | 200 | micras |
| Diámetro del tubo protector metálico | 7 | mm
|
| Apertura numérica | 0.22 | - |
| Longitud de fibra | 1-5 | m |
| conector | SMA905-SMA905 | |
| Modo de enfriamiento | Aire acondicionado | |
| Función | ||
| RS232: modo de ajuste del puerto serie | Control remoto | |
| Control local | botón y operación táctil | |
| Retroalimentación de circuito cerrado de detección de DP | Si sobre la corriente PD, el sistema deja de funcionar | |
| Retroalimentación de circuito cerrado de detección de temperatura | Si hay sobretemperatura, el sistema deja de funcionar | |
| Modo de control AD | Modulación analógica 0-10V | |
| Modo de trabajo | CW/Más | |
Entorno operativo y condiciones de trabajo
Dimensiones (mm)
| mínimo | máx. | Unidad | |
| Temperatura de funcionamiento | -10 | 40 | ℃ |
| Humedad relativa de funcionamiento | - | 75 | % |
| Temperatura de almacenamiento | -20 | 80 | ℃ |
| Humedad relativa de almacenamiento | - | 90 | % |
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